에프⁢에프디고도로 통합된 TE 칩렛 아키텍처 덕분에 넓은 작동 범위를 제공합니다. 특히, 각 TE 칩렛 내부에 내장된 견고한 세라믹 기반 기판은 두 가지 기능을 수행합니다. 즉, s-TEG에서 흔히 관찰되는 구조적 파손을 방지하는 변형 절연층 역할을 할 뿐만 아니라,에프⁢에프디0.2를 초과하는 값을 나타낼 뿐만 아니라, 열에너지를 TE 다리로 효율적으로 전달하여 에너지 출력을 더욱 향상시킵니다( 그림 S5 ). 전력 출력과 신축성 사이의 상충 관계를 정량화하기 위해 파레토 최적화 분석을 수행했습니다( 그림 S6 및 S7 ). 그 결과, 계층 구조가 최적 충전율에서 세 가지 주요 성능 지표(전력 밀도, 전압 밀도, 신축성) 모두에서 샌드위치 구조보다 우수한 성능을 보였습니다.에프⁢에프디,영형피티h-TEG의 경우 = 0.35에프⁢에프디,영형피티s-TEG의 경우 = 0.2). 놀랍게도, h-TEG는 s-TEG에 비해 최대 전력 밀도가 46% 증가하고 최대 전력에서의 전압 밀도가 154% 향상되었습니다( 그림 2B ). 기판 통합 열 전도체 또는 기판 없는 아키텍처를 포함하는 고급 s-TEG와 비교했을 때에도 30 , 46 계층 구조는 일관된 이점을 보여줍니다. 구체적으로, 열 전도체가 있는 s-TEG에 비해 전력은 12%, 전압은 157% 증가했으며, 기판 없는 버전에 비해서는 전력은 32%, 전압은 143% 증가했습니다( 그림 S8 ). 42% 더 높은 온도 활용률은 최적화된 열 관리, 즉 고종횡비 커플을 통한 열 단락 감소와 전도성 기판을 통한 열 흐름 향상에 기인합니다.​